买卖IC网 >> 产品目录43537 >> STH260N6F6-2 MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK datasheet 分离式半导体产品
型号:

STH260N6F6-2

库存数量:可订货
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
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标准包装 1,000
系列 STripFET™ DeepGATE™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 180A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 2 毫欧 @ 90A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 183nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 11400pF @ 25V
功率 - 最大 300W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装 H²PAK
包装 带卷 (TR)
其它名称 497-11217-2
相关资料
供应商
公司名
电话
无锡固电半导体股份有限公司 15961889150 刘小姐
中山市翔美达电子科技有限公司 15502070655 朱小姐
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深圳市华芯源电子有限公司 15019275130 张小姐
深圳市英科美电子有限公司 0755-23903058 张先生
甄芯网 0755-83665813
北京元坤伟业科技有限公司 010-62104931 刘先生
深圳市瑞斯特电子科技有限公司 0755-82550910 杨锐锋
刘学 刘先生
深圳市华雄半导体(集团)有限公司 18988598856 雷精云
  • STH260N6F6-2 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1,000 4.032 4032
    2,000 3.8304 7660.8
    5,000 3.6864 18432
    10,000 3.5712 35712
    25,000 3.456 86400