STH260N6F6-2 datasheet
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STH260N6F6-2
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK datasheet 分离式半导体产品
型号:
STH260N6F6-2
库存数量:
可订货
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK
RoHS:
无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
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其它有关文件
STH260N6F6-2 View All Specifications
标准包装
1,000
系列
STripFET™ DeepGATE™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
180A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
2 毫欧 @ 90A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
183nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
11400pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
H²PAK
包装
带卷 (TR)
其它名称
497-11217-2
相关资料
属性
链接
代理商
STH260N6F6-2
STH260N6F6-6
STH265N6F6-2AG
STH265N6F6-6AG
STH270N4F3-2
STH270N4F3-6
供应商
公司名
电话
无锡固电半导体股份有限公司
15961889150
刘小姐
中山市翔美达电子科技有限公司
15502070655
朱小姐
深圳市晶美隆科技有限公司
0755-82519391
李林
深圳市华芯源电子有限公司
15019275130
张小姐
深圳市英科美电子有限公司
0755-23903058
张先生
甄芯网
0755-83665813
柯
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104931
刘先生
深圳市瑞斯特电子科技有限公司
0755-82550910
杨锐锋
刘学
刘先生
深圳市华雄半导体(集团)有限公司
18988598856
雷精云
STH260N6F6-2 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1,000
4.032
4032
2,000
3.8304
7660.8
5,000
3.6864
18432
10,000
3.5712
35712
25,000
3.456
86400
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